隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶材料的采用，車規級IGBT的工作溫度不斷升高，對溫度的準確監測變得更加重要，溫度控制是其有效運行的關鍵因素之一。通常地，IGBT中的MOSFET都會配備內部溫度傳感器（如體二極管）以進行實時溫度監測。但IGBT無論是采用銀燒結、SMT還是芯片引線鍵合等加工技術，置入NTC熱敏電阻進行溫度監測仍然是更佳選擇，因其具有高靈敏度、耐高溫、良好一致性等特點。通過設計者的合理設計，NTC熱敏電阻可以輔助IGBT模塊正確地降低其負荷，若其工作溫度處于范圍外（過熱/外部溫度過高）的情況下則關斷。

除了NTC熱敏電阻，也有廠商會采用其它元器件對車規級IGBT進行實時溫度監測。如半導體硅PTC熱敏電阻，其可以很好地執行電流控制；或者鉑基（Platinum-based）/鈮基（Niobium-based）電阻式溫度檢測器（RTD，Resistance Temperature Detector），其可以采用較低的電阻去實現更高的檢測線性度。但半導體硅PTC熱敏電阻的應用意味著IGBT需保持正溫度系數（PTC），這會導致IGBT失去熱失控（Thermal Runaway）的機會。因此，與半導體硅PTC熱敏電阻相比較，電阻值隨溫度升高而減少的NTC熱敏電阻能更好地輔助車規級IGBT進行導通及關斷。另外，相較于NTC熱敏電阻，鉑基/鈮基電阻式溫度檢測器的成本更高，性價比低。

車規級IGBT模塊的承載電流可高達300A，直流母線電壓可高達400V，因此實時溫度監測是其過載保護的關鍵標準。NTC熱敏電阻與車規級IGBT的集成，可在IGBT工作溫度上升至高溫閾值以上時，禁用IGBT柵極驅動器，從而提供熱關斷，避免IGBT模塊過熱。一般地，被置于IGBT或MOSFET內基板上的NTC熱敏電阻多為玻璃封裝片式NTC熱敏電阻，其耐高溫（使用溫度可達250℃）、可靠性高；同時，片式結構易于安裝，因此符合車規級IGBT模塊使用。另外，廣東愛晟電子科技有限公司為促進SiC碳化硅模塊的持續發展，幫助IGBT廠商簡化工藝過程，全新推出了耐焊型芯片式NTC熱敏電阻，其NTC熱敏芯片的芯片焊接面適合高溫焊接、引線鍵合面適合打線工藝，在車規級IGBT模塊中能更好地發揮其溫度監測的作用。